SIC功率器件
与硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。

东芝提供额定电流为2A至10A的650V碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)。

东芝的1200V SiC MOSFET产品,可提供高速开关和低导通电阻,使其在高功率、高效率的工业电源、低损耗的太阳能逆变器和UPS产品中脱颖而出。

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